Laboratoire Albert Fert (CNRS, Thales, Université Paris-Saclay) in Palaiseau seeks a First Stage Researcher (R1) to develop field-effect transistors using a KTaO3-based 2DEG with a ferroelectric HfZrO2 gate. The project targets nonvolatile control of electronic properties and exploration of the superconducting state in oxide heterostructures.
The candidate will grow thin films, characterize interfaces, fabricate devices in cleanroom, and study polarization effects at low temperature.
#J-18808-Ljbffr
Postdoc: Ferroelectric Gate-Tuned 2DEG Superconductivity employeur : CNRS
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